產(chǎn)品中心
Product Center
熱門搜索：
GCDLSM-800端子電流耐久性測(cè)試系統(tǒng)
GCDLSM-800端子插拔循環(huán)壽命試驗(yàn)機(jī)
GCDLSM-800端子高低溫循環(huán)測(cè)試儀
GCDLSM-800端子電流循環(huán)壽命試驗(yàn)系統(tǒng)
GCDLSM-800端子電流循環(huán)壽命試驗(yàn)機(jī)
GCSTD-D高低頻介電常數(shù)試驗(yàn)測(cè)試儀
NLD-AI電線電纜漏電起痕試驗(yàn)儀
GDW-250電阻高溫度特性測(cè)試試驗(yàn)臺(tái)
GCDDJ-100Kv電壓擊穿試驗(yàn)儀
PMQS-I新款國(guó)產(chǎn)泡沫起升儀PMQS
GEST-121薄膜體積電阻率測(cè)試儀
PMQS-IPMQS泡沫起升儀
GCSTD-FI液體高低介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀
GEST-122多功能炭素粉末石墨電阻率測(cè)量?jī)x
GEST-122多功能炭素電極電阻率測(cè)試儀
FTDZ-I粉末電阻率測(cè)試儀
當(dāng)前位置：首頁(yè)
產(chǎn)品中心介電常數(shù)測(cè)試儀AB-高頻介電常數(shù)測(cè)試儀
product
產(chǎn)品分類
裝置瓷高頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀、介質(zhì)損耗測(cè)試儀元件：電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)評(píng)估和性能分析。 半導(dǎo)體元件：變?nèi)荻O管的C-VDC特性；晶體管或集成電路的寄生參數(shù)分析 其它元件：印制電路板、繼電器、開(kāi)關(guān)、電纜、電池等的阻抗評(píng)估
更新時(shí)間：2025-01-02
產(chǎn)品型號(hào)：GCSTD-A/B
瀏覽量：4209
工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀滿足標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
更新時(shí)間：2025-01-02產(chǎn)品型號(hào)：GCSTD-AB瀏覽量：2236介質(zhì)損耗和介電常數(shù)測(cè)試儀、介質(zhì)損耗測(cè)試儀元件：電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)評(píng)估和性能分析。 半導(dǎo)體元件：變?nèi)荻O管的C-VDC特性；晶體管或集成電路的寄生參數(shù)分析 其它元件：印制電路板、繼電器、開(kāi)關(guān)、電纜、電池等的阻抗評(píng)估聚合物介電常數(shù)測(cè)量?jī)x
更新時(shí)間：2025-01-02產(chǎn)品型號(hào)：GCSTD-AB瀏覽量：2417
高頻介電損耗測(cè)試儀、介質(zhì)損耗測(cè)試儀元件：電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)評(píng)估和性能分析。 半導(dǎo)體元件：變?nèi)荻O管的C-VDC特性；晶體管或集成電路的寄生參數(shù)分析 其它元件：印制電路板、繼電器、開(kāi)關(guān)、電纜、電池等的阻抗評(píng)估聚合物介電常數(shù)測(cè)量?jī)x
更新時(shí)間：2025-01-02產(chǎn)品型號(hào)：GCSTD-AB瀏覽量：1846
高頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀GCSTD源介電常數(shù)、介質(zhì)損耗測(cè)試儀元件：電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)評(píng)估和性能分析。 半導(dǎo)體元件：變?nèi)荻O管的C-VDC特性；晶體管或集成電路的寄生參數(shù)分析 其它元件：印制電路板、繼電器、開(kāi)關(guān)、電纜、電池等的阻抗評(píng)估
更新時(shí)間：2025-01-02產(chǎn)品型號(hào)：GCSTD-A/B瀏覽量：1707